李澤宏教授一直從事功率器件和功率集成電路的研究，并作為主研進行了國家自然科學基金、重點實驗室基金、裝備發展部預研項目和國家863計劃信息技術領域超大規模集成電路設計專項等多個項目的研究，發表多篇內容精辟的學術論文。
       此次李教授主要圍繞功率MOSFET、Rectifier、IGBT和SiC器件的基本結構及相關知識展開，重點對MOSFET新型器件的結構設計、特性描述、工藝方法和未來趨勢進行了詳細解讀。就特微電子現有功率MOS型號進行了剖析，以及如何在現有產線條件下擴大產品種類，給出了寶貴的建議。李教授深入淺出、通俗易懂的講解風格，令所有參訓人員受益匪淺。大家積極互動，就很多熱點問題和困惑之處發表了自己的見解和觀點。